미국 오스틴에 이어 해외 2번째..2013년 가동 목표

삼성전자가 낸드 플래시 메모리의 수요 증가에 대응하기 위해 중국에 반도체 생산라인을 설립하기로 했다.

삼성전자는 이를 위해 지식경제부에 해외 생산라인 설립을 위한 신청서를 제출했다고 6일 공시했다.

삼성전자는 이번에 추진되는 반도체 라인에서 스마트폰, 태블릿 등의 급속한 확산으로 수요가 증가하고 있는 20나노급 이하 낸드 플래시 제품을 생산할 계획이라고 밝혔다.

삼성전자의 해외 반도체 생산라인 설립은 미국 텍사스주 오스틴에 이어 2번째이다. 중국 쑤저우에 있는 라인은 생산이 아닌 조립을 위한 라인이다.

삼성전자의 중국 반도체 생산라인 설립 추진은 세계 메모리 반도체 시장에서 중국의 중요성이 점차 부각되는 것을 고려한 적극적인 대응 전략으로 풀이된다. 낸드 플래시를 사용하는 다양한 IT 기기의 중국 생산 비중이 계속 증가하는 상황에서 현지생산 확대를 통해 고객 대응 속도와 효율을 높이자는 것.

삼성전자는 정부에 설립 신청을 하는 동시에 중국 지방 정부와 건설 예정지 선정을 위한 협상을 시작할 계획이다.

정부의 승인 절차와 중국과의 협상이 원만하게 진행될 경우, 2012년 생산라인 건설을 시작해 2013년에는 가동에 들어간다는 목표다.

삼성전자 DS사업총괄 메모리사업부 전동수 사장은 “빠른 기간내에 가동해 글로벌 IT업체의 수요 증가에 차질없이 대응해 나가는 한편 메모리 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 밝혔다.

연합뉴스