2세대 10나노급 DDR D램 개발

생산성 20% ‘쑥’… 소비전력 15% ‘뚝’
내년 1분기부터 시장에 공급 나서SK하이닉스가 낸드플래시에 이어 D램에서 차세대 공정 양산을 본격 시작한다. SK하이닉스는 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용해 생산성과 전력효율을 높인 8기가비트급 DDR D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 1세대(1x) 제품보다 생산성은 약 20% 향상됐고, 전력소비는 15% 이상 줄었다. DDR4 규격이 지원하는 최대치인 3200Mbps 데이터 전송 속도를 안정적으로 구현할 수 있다.

D램은 삼성전자가 앞서 지난해 11월 2세대 10나노급 서버용 D램 양산을 시작했고, 마이크론도 최근 동일 공정 D램 양산을 시작했다. 세계 D램 3강이 모두 2세대 10나노급 D램 양산을 시작하며 하위권 업체들과 격차가 더 벌어지게 됐다.

SK하이닉스는 이달 초 세계 최초로 96단 4D 낸드플래시를 개발한 데 이어 D램에서도 초격차 전략에 속도를 높이는 모습이다. 특히 데이터 전송 속도를 높이기 위해 ‘4페이즈 클로킹’ 설계 기술이 적용됐다. 이는 데이터 전송 시 주고받는 신호를 기존보다 2배로 늘려 동작 속도와 안정성을 높인 기술이다. 마치 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량 통행을 원활하게 하는 것과 같은 원리다.

이와 함께 전력소비를 줄이고 데이터 오류 발생 가능성을 낮추기 위해 독자 기술인 ‘센스 앰프’ 기술도 적용했다고 회사 측은 설명했다.

SK하이닉스는 PC, 서버 시장을 시작으로, 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용할 방침이다. 김석 D램마케팅담당 상무는 “2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품”이라면서 “내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 말했다.

이재연 기자 oscal@seoul.co.kr